陽明交通大學團隊作品「具減少14.7倍拖尾電流消耗與減少37.0%反向傳導損耗之單晶片低漏電交叉耦合氮化鎵驅動器」應用不同類型GaN元件特性，降低電路的複雜度，縮小體積，進而減少不理想效應與漏電流。